碳化硅反射镜的制备工艺

碳化硅材料的制备方法主要有三种: 反应烧结法、化学气相沉积法、热压法 (或热等静压法)。

反应烧结法

反应烧结是镜面制备中最常见的方法。该过程涉及将反应性液态硅渗透到含碳反射镜预制件中。硅与碳反应生成新的碳化硅，其与预制件中的现有碳化硅颗粒原位结合并填充剩余的孔，从而产生几乎完全致密的镜坯。

化学气相沉积法

化学气相沉积涉及在1275 °C至1350°C的温度下将气体或气体混合物引入反应容器中，以在石墨或其他基底材料上获得碳化硅沉积层。

热压 (或热等静压) 法

热压 (或热等静压) 烧结的主要步骤: 微米级碳化硅粉末、烧结助剂、和防止过度晶粒生长的添加剂混合并预压成预成型件。然后用适当的包装材料密封该预成型体并将其置于压力室中，在压力室中在适当的温度-压力-时间范围下进行烧结。

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